TSMC在2022年的技术研讨会上介绍了未来先进工艺的信息。N3工艺将于2022年量产，随后是N3E、N3P和N3X。
等等。，N2(2nm)工艺将于2025年量产。
TSMC首先推出了N3的FINFLEX，包括3-2鳍、2-2鳍和2-1鳍布局，具有以下特点:
3-2鳍–最快的时钟频率和最高的性能可满足最苛刻的计算要求。
2-2鳍–高效性能，性能、能效和密度之间的良好平衡
2-1翅片–超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度
台积电表示FINFLEX扩展了3nm。
系列半导体技术的产品性能、功效和密度范围允许芯片设计人员使用同一套设计工具为同一芯片上的每个关键功能模块选择最佳选项。
在N2方面，TSMC表示，这是第一个使用环绕栅极晶体管(GAAFET)而不是当前晶体管的节点。
FinFET(FinFET)。新的制造工艺将提供全面的性能和功率优势。相同功耗下，N2比N3快10~15%；在同样的速度下，功耗降低。
25~30%。然而，与N3E相比，N2仅增加了约1.1倍的芯片密度。
N2工艺带来了两项重要的创新:纳米芯片晶体管(TSMC称之为GAAFET)和背面电源轨。盖尔人运动协会
纳米芯片晶体管的沟道四面都被栅极包围，减少了漏电；此外，它们的通道可以加宽以增加驱动电流并提高性能，也可以变窄以最大限度地降低功耗和成本。为了给这些纳米片晶体管提供足够的电力，TSMC的
使用N2背面电源轨，TSMC认为这是后端线路(BEOL)电阻的最佳解决方案之一。
TSMCN2技术针对各种移动SOC、高性能CPU和GPU。具体表现要等后续测试出来才能知道。
