前段时间，三星在京畿道华城工厂V1生产线举行了采用下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术的3nmOEM产品交付仪式。三星表示，相比最初使用FinFET的5nm工艺，第一代是3nm。
GAA工艺节点的功耗、性能和面积(PPA)都有不同程度的提升，面积降低16%，性能提升23%，功耗降低45%。
虽然三星信心满满，但实际上目前的3nm
GAA工艺缺客户，更重要的是一直热衷于采用新工艺的移动SoC暂时没有入选。有消息称，三星可能采用3nm工艺制造Exynos。
300，还是为了明年的GalaxyS23系列。但据报道，由于性能不尽如人意，Galaxy
S23系列可能全部采用高通的解决方案。此外，谷歌的第三代张量芯片也可能采用三星的3nm技术，将用于Pixel8系列，但目前还没有消息。
近年来，三星的大客户之一高通因4nm/5nm良率和能效问题，在新一代旗舰SoC上转投TSMC，对三星造成了相当大的打击。据Wccftech报道，高通第一代三星3nm
GAA工艺兴趣不大，但要关注其进展，随时评估，可能会涉及到第二代3nmGAA工艺。
据了解，三星第二代3nmGAA工艺将于2024年量产。三星说第二代3nm
MBCFET架构将加入GAA工艺，使3nm芯片面积减少35%，性能提升30%，功耗降低50%。如果产量能够保持，这种提高可能会让高通满意。
