近日，英特尔宣布已开始使用极紫外光刻(EUV)技术量产(HVM)英特尔4工艺节点。采用工艺和产品代码为流星
莱克的英特尔酷睿超处理器将于今年12月14日发布。
据悉，作为英特尔首款采用极紫外光刻技术生产的工艺节点，英特尔4在性能、能效和晶体管密度等方面较之前的节点都取得了显著提升。
此前有报道称，英特尔4制程的性能与三星3nm和台积电3nm相当。
英特尔中国新闻指出，极端紫外线光刻正在驱动最需要计算能力的应用，如AI、先进的移动网络、自动驾驶以及新的数据中心和云应用。极端紫外光刻也是英特尔成功实施其“四年五个工艺节点”计划，并在2025年重新夺回工艺领导地位的关键。
目前，英特尔7和英特尔4已实现量产；英特尔
3正在按计划推进，目标是2023年底；英特尔20A和英特尔使用RibbonFET全环绕栅晶体管和PowerVia背电源技术
18A的目标是2024年。采用Intel3进程节点，能效核心(E-core)极强的处理器Sierra，能效极高
森林将在2024年上半年上市，紧随其后的是拥有高性能内核(P-core)的非常强大的处理器GraniteRapids。
