此前有报道称，三星在2纳米(SF2)工艺的试生产中实现了高于预期的初始良率，达到30%以上。三星计划在2025年第四季度批量生产2纳米工艺，提供Exynos
2600已准备好批量生产。
最近，三星的2nm工艺开发团队已经取得了令人满意的实验生产里程碑。正在开发的2nm工艺在良率方面比之前的3nm工艺表现更好。2nm工艺的良率提高到40%以上。按照目前的推进速度，有可能赶上Exynos。
批量生产2600台。
尽管三星在2纳米技术上取得了不错的进步，但这一性能还不够令人满意。竞争对手台积电去年12月试产2纳米工艺期间，良率超过60%。据传现在已提高到70%至80%，接近批量生产的水平。
SF2集成了三星第三代GAA(GatewayAll-Around)架构晶体管技术。与SF3(3纳米)相比，性能提高12%，功率效率提高25%，芯片面积缩小5%。三星还计划在2纳米工艺节点上引入“BSPDN(后电源网络)”技术，将电源轨放置在芯片背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈，解决FSPDN(前端电源网络)带来的问题。前端布线拥堵问题进一步提高了性能和能源效率，并减少了芯片面积。
