三星在去年的三星代工论坛上
2021”论坛上，确认在3nm工艺节点引入全新的GAAFET全能栅晶体管工艺，分为早期的3GAE和3GAP。近日，三星表示有望在本季度开始采用3GAE制造工艺进行量产。在一份声明中，它写道：“这是世界上首次大规模生产3纳米GAA工艺，以提高其在技术上的领先地位。"
三星称，MBCFET多桥沟道场效应晶体管技术是其使用的第一种GAAFET技术。作为一种全新的形式，它既保留了GAAFET工艺的优点，又与之前的FinFET工艺兼容。256Mb由其3GAE技术生产
GAAFET SRAM芯片可以实现30%的性能提升、50%的功耗降低和80%的晶体管密度增加(包括逻辑和SRAM晶体管的混合)。
三星表示，除了功耗、性能和面积(PPA)的提升，随着制程技术的成熟，3nm制程的良率将接近4nm制程。不过鉴于三星过去几年在5nm和4nm芯片制造上遇到的问题，这种3nm工艺的实际性能和功耗如何还有待观察。尚不清楚谁将成为三星3nm工艺的第一个客户。毕竟过渡到新的晶体管工艺有一定的风险，芯片设计师需要开发一个新的ip，这个IP并不便宜。
竞争对手之一，英特尔，就在英特尔。
7/4/3工艺节点仍然依赖FinFET，最快也要到2024年才会转向新型晶体管(称为RibbonFET)。另一个竞争对手TSMC在N4和N3工艺节点仍然使用FinFET，在N2工艺节点之前不会引入GAA工艺，大概在2024年投产。
