根据过去一段时间的报告，TSMC在3纳米和2纳米工艺的开发方面取得了良好的进展。TSMC总裁魏哲佳证实，N2流程节点将按预期使用Gate-全能。
场效应晶体管(GAAFET)晶体管，其制造工艺仍然依赖于极紫外(EUV)光刻技术。预计将于2024年底做好风险生产准备，2025年底进入量产。
随着2nm技术发展的突破，TSMC已经开始考虑推进下一个工艺节点。据传，1.4nm技术可能会在6月份举行的技术研讨会上正式公布，届时可能会公布一些技术细节。根据业务
朝鲜报道说，TSMC打算在6月重新分配其N3进程节点的团队，组建一个研发中心；1.4nm制造工艺的d团队。
目前还不清楚英特尔和三星将采用哪种工艺来测试TSMC的1.4纳米工艺。根据英特尔去年公布的制造工艺技术路线图，目前只为英特尔安排。
18A(1.8nm级别)。英特尔计划在英特尔
两项突破性技术RibbonFET和PowerVia将被引入20A工艺节点。最近，它还发誓要在2024年底之前推出RibbonFET的改进英特尔。
18A(1.8纳米级别)，领先于TSMC的2纳米工艺，在性能功耗比方面处于领先地位。
许多业内人士对代工厂的制造工艺计划持怀疑态度，担心R&d会遇到更多不可预知的障碍，导致量产延期或良率不理想。随着芯片的尺寸越来越小，技术的壁垒越来越高，电路的绘制必须更加精确，同时生产管理也变得越来越困难。
