英特尔发布硅自旋量子芯片：采用EUV工艺，成品率95%

6月16日消息，量子计算是各大科技公司竞争的下一个技术焦点，已经出现了各种量子计算机，英特尔也在开发自己的量子芯片，它正在使用硅自旋量子，可以使用传统的CMOS半导体工艺来生产。

几天前，英特尔宣布推出隧道。

福尔斯的量子芯片拥有12个硅自旋量子位，是英特尔迄今开发的最先进的硅自旋量子位芯片，利用了英特尔几十年来积累的晶体管设计和制造能力。

在英特尔的制造厂，隧道

福尔斯是在一个300mm的硅晶片上生产的。利用了英特尔领先的晶体管工业化制造能力，如极紫外光刻技术(EUV)，以及栅极和接触层加工技术。在硅自旋量子比特中，信息(0/1)编码在单个电子的自旋(上/下)中。

硅自旋量子位本质上是一种单电子晶体管，因此英特尔可以使其采用类似于标准cmos(互补金属氧化物半导体)逻辑生产线的工艺。

英特尔认为，与其他量子比特技术相比，硅自旋量子比特具有优势，因为它们可以利用类似的先进晶体管生产技术。硅自旋量子比特的大小类似于晶体管，约为50x50纳米，比其他类型的量子比特小100万倍，预计量产速度更快。

根据《自然·电子学》杂志上的一篇论文1所述，“硅可能是最有希望进行大规模量子计算的平台。”

同时，凭借先进的CMOS生产线，英特尔可以通过其创新的工艺控制技术来提高良率和性能。隧道，隧道

Falls的成品率达到95%，接近于CMOS逻辑工艺的电压均匀性(电压均匀度)。

此外，英特尔可以在每个晶片上实现超过24000个量子点。隧道瀑布可以形成4到12个量子比特，它们可以相互隔离，也可以同时进行操作。

接下来，英特尔将继续提高隧道瀑布的性能，并将其与英特尔量子软件开发工具包(SDK)集成到英特尔的量子计算堆栈中。

此外，根据制造隧道瀑布的经验，英特尔已经开始研发下一代量子芯片，预计将于2024年推出。