最近，英特尔发布了一份文件，介绍了在IEDM2024(IEEE国际电子会议2024)上展示的多项技术突破。
在新材料方面，减法Ru互连技术可以将线对线电容减少高达25%，有助于改善芯片内互连。
英特尔OEM还率先展示了面向高级封装的异质集成解决方案，能够将吞吐量提高高达100倍，并实现超快的芯片到芯片封装(
组件)。
此外，英特尔OEM还展示了硅基RibbionFET(互补金属氧化物半导体)技术和二维场效应晶体管(2D)的小型化
FETS)，以提高设备性能。
在300mm氮化镓(GaN)技术方面，英特尔OEM也在继续推进行业领先的高性能小型化增强型GaN的研究和制造
金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
它可以通过降低信号损耗、改善信号线性度和基于基板背面处理的高级集成解决方案，为功率设备和射频设备等应用带来更高的性能。
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先进的内存集成，消除了容量、带宽和延迟方面的瓶颈；
优化互连带宽的混合绑定；
模块化系统和相应的连接解决方案
