据科技网站elchapuzas报道，投资银行摩根士丹利(Morgan Stanley)最近访问了半导体设备供应商，了解到TSMC即将完成其改进的3纳米工艺N3E的开发，工艺规范最早将于本月底冻结。基于N3E工艺的产品量产将于2023年第二季度实现，比此前计划提前一个季度。
其他信息包括：N3E工艺的试产率远高于N3B。随着四个EUV掩模的减少，逻辑电路密度仅比原始N3工艺低8%，但仍比5 nm节点高60%。
